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碳化硅(SiC)抛光液JSYAPG-SIC
应用场景
SiC晶圆CMP、电力电子、LED衬底、单晶/多晶SiC
碳化硅(SiC)抛光液JSYAPG-SIC
品牌：JSYA（吉圣雅） JSYAPG-SIC 专为碳化硅 SiC 单晶衬底、碳化硅陶瓷等超硬材料开发的 CMP 抛光液，兼顾高去除速率与低亚表面损伤，适用于第三代半导体 SiC 晶圆精密平坦化加工。
一、技术指标
项目 | 技术参数 |
产品型号 | JSYAPG-SIC |
产品类型 | 碳化硅 (SiC) 抛光液 |
核心磨料 | 复合纳米磨料 |
应用基材 | SiC 单晶衬底、碳化硅陶瓷、第三代半导体晶圆 |
外观 | 乳白色悬浮液 |
pH | 碱性体系 |
分散介质 | 超纯水 |
分散稳定性 | 颗粒分布窄，沉降慢，适配连续 CMP 制程 |
保质期 | 6 个月（密封避光，5–35℃储存） |
二、产品特点
1. SiC 专用复合磨料体系 适配碳化硅超高硬度特性，可实现稳定的材料去除，适配 SiC 粗抛、精抛不同工序。
2. 低亚表面损伤 纳米级均匀磨料，抛光后表面划痕少，降低亚表面缺陷，满足功率半导体衬底指标要求。
3. 高平坦化能力 优良的选择性与平坦化效果，降低晶圆全局粗糙度，减少后续清洗难度。
4. 分散稳定性优异 悬浮性好，不易快速沉降，适合抛光机循环供液，批次加工一致性高。
5. 水基环保体系 不含有机溶剂，低 VOC，废液处理简单，适配半导体洁净车间。
三、典型应用场景
SiC晶圆CMP、电力电子、LED衬底、单晶/多晶SiC
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